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Information Name: | PCB-Oberfl?che Zusammensetzung Analyse Pad Komponentenanalyse, Komponentenanalyse Beschichtung |
Veröffentlicht: | 2015-04-23 |
Gültigkeit: | 30 |
Technische Daten: | |
Menge: | 10.00 |
Preis Beschreibung: | |
Ausführliche Produkt-Beschreibung: | Oberfl?chenmorphologie und Zusammensetzung Analyse von Materialien durch Oberfl?chenanalyse der Proben und / oder nahe der Oberfl?che zu charakterisieren. Auf der Grundlage der Informationen, die Sie ben?tigen, k?nnen wir die besten Analysetechniken für Ihr Projekt zu w?hlen. Die meisten Techniken verwenden wir feste Proben, mal weniger flüssige Probe auf chemische Information auf einer festen Oberfl?che zu erhalten. In vielen F?llen ist der Materialcharakterisierung und Oberfl?chenanalyse eine gute Wahl, die überwiegende Mehrheit in zwei Kategorien eingeteilt: 1) bekannt, welche Art von Material, das sie besitzen, wollen aber noch mehr Informationen über bestimmte Eigenschaften, wie die Schnittstelle Sch?rfe, Profil Verteilung, Morphologie, Kristallstruktur, Dicke, Spannung und Qualit?t. 2) Sie haben das Recht nicht das Material vollst?ndig zu verstehen, wollen über seine Bestandteile, Verunreinigungen, Rückst?nde, Schnittstellenschicht und Verunreinigungen zu erfahren. Rasterelektronenmikroskopie / R?ntgenenergiedispersionsspektroskopie (SEM / EDS) Rasterelektronenmikroskopie / R?ntgenenergiedispersionsspektroskopie (SEM / EDS) beruht auf der Wechselwirkung der Elektronen mit Materie basiert. Wenn ein Bündel von Hochenergieelektronenbestrahlung Einfallsfl?che des Materials, wird die angeregte Region Sekund?relektronen Auger-Elektronen, charakteristische R?ntgenstrahlen und R?ntgen Kontinuum, Rückstreuelektronentransmissionselektronenmikroskopie, wie auch in den sichtbaren, ultravioletten und infraroten Licht zu erzeugen Regionale Produkte elektromagnetischer Strahlung. Im Prinzip kann die Verwendung der Wechselwirkung zwischen Elektronen und Materie, kann die Probe selbst, eine Vielzahl von physikalischen, chemischen Natur der Informationen, wie Morphologie, Zusammensetzung, Kristallstruktur, elektronische Struktur und interne elektrische oder magnetische Felder, etc. zu erhalten. SEM / EDS genau entsprechend der sich von der obigen Information Mechanismus ist auf die Sekund?relektronen, rückgestreute Elektronenkollektor, zur Verfügung stehenden Informationen über die Morphologie des Materials auf der R?ntgenerfassung, verfügbaren Informationen über die chemische Zusammensetzung des Materials erzeugt. Anwendungen: 1. Materialien Gewebemorphologie, wie mikroskopische Bruchmorphologie, die Oberfl?che Morphologie, Mikrometer-Schichtdickenmessung, Pulverpartikeloberfl?che Beobachtung, Materialk?rner, Korngrenzen Beobachtung. 2. Chemische Zusammensetzung Mikroanalyse, Elektronenstrahl erzeugt wird, wenn die Rolle der charakteristischen R?ntgenstrahlen mit der Materie, um Informationen über die chemische Zusammensetzung der Probe liefern kann qualitativ, semi-quantitativen Nachweis der meisten Elemente (Be4-PU94) k?nnen analysiert werden Verunreinigungen sein , Lotbeschichtung Schnittstelle Gewebezusammensetzung Analyse. In Abh?ngigkeit von der Messstelle kann in Testzwecken Zeilen, unterteilt abzutasten; 3. Mikrostruktur und ultrafeiner Gr??e Materialanalyse, wie in martensitische St?hle, Vergütungs Patentierung unter solchen Bainitgefüges Analyse, Analyse von Nanomaterialien 4 beobachtet. Fehleranalyse in erster Linie verwendet, um den Point of Failure, vorl?ufigen Analyse zu finden, um die Materialzusammensetzung und den Fremdk?rper zu bestimmen. Hauptmerkmale: 1. Die Probenvorbereitung ist einfach, kurzen Testphase, 2. Sch?rfentiefe, und haben eine starke dreidimensionale, geeignet für die Beobachtung als eine raue Oberfl?che wie ein Bruch; 3. Qualitativ Materialoberfl?che Gewebe, semi-quantitative Analyse werden; 4. Sowohl an einen hochaufl?senden Hochspannungs zu gew?hrleisten, sondern auch qualitativ hochwertige Bilder bei niedriger Spannung; Technische Daten: Aufl?sung: Hochbetrieb: 3 nm, Low-Modus: 4 nm Vergr??erung: 5-100 mal die Detektionselemente: Be4-PU94 Die maximale Probendurchmesser: 200 mm Bildmodus: Sekund?relektronen, Rückstreu |
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